“明年将是存储最缺货的一年”！SK海力士美股大涨，国内“两存”加快IPO步伐
美东时间周五(7月10日)晚间，SK海力士首席执行官郭鲁正(Kwak Noh-jung)向外界预计，2027年将成为存储行业历史上供应最紧张的一年。
“现在客户纷纷前来SK海力士寻求长期供货协议。需求持续增长，而我们的产能却存在限制。尽管我们正尽最大努力扩充产能，但即使到2030年以后，客户需求仍可能高于公司的供应能力。”他说。
不过，曾与韩国存储厂商有过接触的国内产投人士向证券时报记者表示，除了自身发展，目前海外存储大厂高管同时在关注中国存储厂商的扩产进展，国内“两存”(长鑫存储和长江存储)或将成为未来存储市场长期最大的变量。
较韩股溢价约15%
郭鲁正的上述观点是在SK海力士的美国存托凭证(ADR)上市之后发表的。
这家韩国存储芯片厂商在7月10日迎来纳斯达克首秀。按规定，当日SK海力士以“when－issued”(“预发行”)方式开始交易，临时代码为SKHYV(预计7月13日交易转为正常，代码将变更为SKHY)。市场表现方面，该ADR首日开盘价为170美元，较发行价149美元涨约14.1%，盘中最高触及177美元，收盘报于168.01美元，涨12.76%。据证券时报记者换算，这较其周五韩股溢价约15%(发行价已较韩股7月8日收盘价溢价约3%)；对应市值达到1.22万亿美元。
SK海力士本次整体募资规模约为265亿美元，超过阿里巴巴2014年创下的250亿美元募资纪录，成为外国企业在美国规模最大的IPO，并且，认购倍数超过七倍。据披露，IPO募集资金将主要用于：龙仁综合体的Fab 1工厂和清州的P&T7先进封装工厂，购置光刻机等。
虽然IPO时点正值全球半导体板块出现明显调整之际，美光科技、闪迪等在过去数周内跌幅超过20%，SK海力士在韩交所的股价亦自6月底至7月9日调整超25%，但公司本次ADR的超额认购及纳斯达克首日开盘即两位数大涨，似乎正在重燃投资者对AI内存主题的持续热情。
AJ Bell市场主管Dan Coatsworth认为，SK海力士“此次美股发行的市场需求强于部分人的预期。这表明，存储芯片板块的上涨行情或许只是暂歇，而非已见顶”。
谈及未来计划，郭鲁正表示，美国仍是公司未来晶圆制造投资的几个候选地之一，但选址须满足公司在电力、水资源及人才等方面的标准。
“发行的目的之一在于与AI客户建立更紧密的合作关系，并扩大AI人才的获取渠道。”他说。
SK集团会长崔泰源则表示，未来需求将呈指数级增长，若公司能够获得足够的回报以吸引投资者，不排除进一步增发美股的可能性。
与此同时，这家内存制造商正在考虑以新的方式出售其技术，包括一种“内存即服务”的概念。崔泰源透露，未来会建议客户租用存储资源而非直接购买芯片，以此解决AI相关的内存容量瓶颈。
机构预计HBM价格2027年实现翻倍
SK海力士是全球最大HBM芯片制造商，HBM是一种基于3D堆栈工艺的高性能动态随机存取存储器(DRAM)，这类芯片是英伟达、AMD等公司GPU进行大规模数据处理的关键组件。AI基础设施支出的爆发式增长，推动HBM芯片供不应求，价格大幅攀升，令存储芯片制造商成为华尔街最炙手可热的投资标的之一。
据Gartner预测，全球存储半导体市场规模将从2025年的2160亿美元增长至2026年的6330亿美元，同比增长192.7%，并以86.0%的年复合增长率从2025年增长至2027年的约7480亿美元。这一增长预计主要得益于HBM领域的快速增长，HBM是支撑人工智能计算和存储需求的重要组成部分，同时DRAM和NAND产品的平均售价也大幅上涨。
该机构测算，HBM收入预计将从2025年的330亿美元增长到2027年的860亿美元，年复合增长率为60.5%。价格方面，7月10日，DigiTimes最新报告援引业内人士观点称，受AI算力需求爆发、产能结构性紧缺双重因素影响，HBM价格预计2027年实现翻倍。
“下一代HBM4的价格可能从2026年下半年约2美元/千兆比特飙升至4至5美元，甚至更高。”行业消息人士称。据介绍，涨价核心源于两大生产原因：一是HBM4工艺制造难度极高，生产周期长达4至6个月，初期良品率偏低；其次，生产HBM4所需晶圆面积是普通DDR5内存的3倍，现有产线产能释放空间被大幅压缩。
当前全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议，锁定全球内存供应。
从行业格局来看，Counterpoint Research数据显示，今年第一季度，SK海力士拿下了58%的HBM市场份额，而美光和三星各占21%。据IDC数据，SK海力士也是最大的DRAM供应商，对应市场份额为29.1%；第二大NAND供应商，市场份额为18.5%。
行业高景气背景下，三家公司的业绩亦集体爆表。其中，SK海力士2026财年第一季度营业收入为52.58万亿韩元，同比增加198%；净利润为40.35万亿韩元，同比增加398%。当季营业利润为37.6万亿韩元，营业利润率约72%，刷新其史上最高纪录。这一盈利水平不仅高于台积电同期58.1%的营业利润率，也高于英伟达2027财年第一财季(截至2026年4月26日)约65.6%的GAAP营业利润率。
美光科技2026财年第三财季(截至2026年5月28日)Non-GAAP净利润飙升至288.6亿美元，同比上涨约1224%；当季毛利率攀升至84.9%，创下公司自1978年成立以来的历史最高水平。公司管理层在上个月的电话会上曾表态，虽然其新增投资将主要用于HBM、先进DRAM以及先进封装产能建设，但目前无法预测内存供应何时才能赶上不断增长的需求。这一措辞与SK海力士的观点如出一辙。
国内“两存”加快IPO步伐
不过，摩根士丹利则提示关注中长期风险，核心来自存储周期约束：多家厂商同步扩产HBM，2028年后高端存储产能集中释放；云厂商资本开支是否存在不及预期等。
近日，曾与韩国存储厂商有过接触的国内产业投资人士告诉证券时报记者，虽然全球存储市场由三星电子、SK海力士和美光科技主导，但他们目前颇为关注的是中国存储厂商未来的扩产进展。
“近期苹果寻求获批采购长鑫存储(CXMT)的DRAM内存芯片的消息并非空穴来风。长期而言，国内‘两存’是这个市场最大的变量，国内厂商在技术提升、扩产等方面的速度和效率均存在超预期可能。”该投资人士向记者分析称。
从最新IPO进展来看，7月9日，长鑫科技正式启动科创板IPO发行程序。公司新股网下申购日和网上申购日定于7月16日。公司此次计划募资295亿元，为2026年以来A股最大IPO项目，募资计划投向：存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目和动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。
据了解，长鑫科技作为国产DRAM龙头，技术路线上公司采取“跳代研发”的赶超策略，10年间完成了从第一代到第四代工艺技术平台的量产跨越，产品覆盖DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X全系列，广泛应用于消费电子、服务器、汽车电子、工业控制等领域。根据Omdia的数据，按出货量和销售额统计，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商，市场占有率7.67%。
业绩预告显示，2026年上半年，公司预计实现营收1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；归母净利润预计500亿元至570亿元，盈利增长势头强劲。
在人工智能需求驱动下，全球半导体行业景气度持续上行，分析机构认为长鑫科技IPO有望推动国内存储产业扩产与升级新周期。SemiAnalysis甚至预测长鑫科技2028年全球市占率达17%，对标海外大厂产能体量，后续扩产增量空间大。
除了长鑫科技外，长江存储已经启动上市辅导，未来国产存储大厂将会师资本市场。
王一鸣
